Layout计划中的多少个要害步调是规划欧洲杯买球软件app下载、走线、铺铜、散热，英诺赛科高压单管GaN的Layout计划也不破例。反激拓扑是高压单管GaN的典范利用，快充场所常用。该拓扑在地线的处置上都需特殊留神，如下图所示，Layout时帮助绕组地、IC旌旗灯号地功率地在bulk电容处会合，防止IC地受烦扰招致驱动振荡。在GaN利用时，Layout上还需留神以下方面：1) 因为电流检测电阻的存在，此种场所GaN的开尔文脚与源极直接衔接，不然皇冠手机版下载电流采样电阻得到感化。2) Source端与bulk电容地的走线尽可能短、粗，减小寄生电感LS。3) 驱动电路跟功沙巴体育平台率电路离开安排，防止烦扰4) 驱动IC及驱动电路只管凑近GaN一些，减小驱动回路的走线跟面积5) 高压场所，GaN的漏源极交叠铜皮的寄生电容只管小，以优化开关loss。上面为DFN封装的高压GaN在65W快充利用中的layout案例：QR反激拓扑，GaN在高网下无奈零电压开明，GaN的漏极跟源极的铺铜假如构成寄生电容，会额定增年夜开明loss，该案例的Layout中防止了该成绩，由左图可见。同时，GaN的功率回路跟驱动回路在规划上较好的离开，防止了功率电路对驱动电路的烦扰。另由图可见，经由过程旁边层的年夜铺铜将帮助电源的地跟功率的地线相连，地线的处置清洁清楚.